énergie e-semi-conducteur W F W G.1eV gap assez élevé ü To crée qq e-libres valence conduction isolant énergie e-W F gap très élevé ü To crée . 2. Détermination du gap d'énergie d'un semi-conducteur Cette manipulation est réalisée par Mahmoud BEN HASSENA Malek FALEH But de la manipulation: Le but de cette manipulation est de déterminer la nature d'un semi-conducteur après calcul de son énergie de gap. Et alors, le diamant avec son gap supérieur à 5eV, apparaît un bon semi­ conducteur, comme, naturellement InSb (gap 0.17eV) ou GaAs (gap 1.4 eV). Le rayonnement solaire est constitué de photons dont l’énergie est décrite par la relation suivante : E [J] = hv = h . Questions de cours 1. Porteurs de charges dans les milieux semi-conducteurs, électrons libres de conduction de la BC et les trous mobiles de la BV. Avec, h : constante de Planck. ... Dans les conditions suivantes a) équilibre thermique, b) dopage … En physique des semi-conducteurs, on appelle gap la largeur de la bande interdite, laquelle est l'intervalle d'énergies situé entre l'état de plus basse énergie de la bande de conduction et l'état de plus haute énergie de la bande de valence. 3.3 Physique des semi-conducteurs. Ou est la constante de Planck normalisée (h=6.626.10-34 Js) et m c (resp. Au zéro absolu, tous les électrons sont situés en dessous d’un niveau appelé niveau de Fermi W F. … semi L’optoélectronique utilise des transitions électroniques … Dans un semi-conducteur, comme on l'a vu plus haut, la largeur de la bande interdite entre bande de valence et bande de conduction est faible (1,12 eV pour le silicium, 0,66 eV pour le germanium). Objectif général de l’expérience
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